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【发明授权】一种多晶硅的后处理工艺_新疆大全新能源股份有限公司_202210434391.2 

申请/专利权人:新疆大全新能源股份有限公司

申请日:2022-04-24

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN114875486B

主分类号:C30B29/06

分类号:C30B29/06;C30B15/00;B07B15/00;B03C1/30;B08B3/08;B08B3/00;B02C1/02;B28D5/04

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.22#授权;2022.08.26#实质审查的生效;2022.08.09#公开

摘要:本发明为一种多晶硅的后处理工艺,包括:还原炉生产的多晶硅棒根据质量检测结果进行切割和破碎处理;1将多晶硅棒截断两端面后,切割、机加工、清洗后,得成品硅芯;2将多晶硅棒破碎后,将颗粒、粉末与硅块分离;①硅块分选后,通过AI外观分选系统,按照致密、菜花、疏松的等级进行分类;②所颗粒、粉末料经过初级筛分后,得微粉料和非微粉料;a:将微粉料通过单晶炉拉制,得到的单晶硅棒截断两端面后,切割,得初级硅芯;b:将非微粉料经清洗、烘干后,筛分为颗粒料和粉末料,颗粒料进行装箱、入库,粉末料用于单晶炉拉制硅棒。本发明所述的一种多晶硅的后处理工艺,针对高纯多晶硅料处理及硅芯需求,形成一套完整的闭环处理系统。

主权项:1.一种多晶硅的后处理工艺,其特征在于,包括以下步骤:还原炉生产的多晶硅棒根据质量检测结果进行切割和破碎处理;(1)切割:将需要进行切割的多晶硅棒截断两端面后,进行切割,得初级硅芯;将所述的初级硅芯通过机加工、清洗后,得成品硅芯;所述的多晶硅棒通过线切割截断两端面,再进入方硅芯线切割机床进行直接切割;(2)破碎:将需要进行破碎处理的多晶硅棒进行机械破碎后,通过初级气选,将颗粒、粉末料与硅块分离;①所述的分离后的硅块通过图像识别系统进行分选,得小粒径硅块和大粒径硅块;将所述的小粒径硅块和大粒径硅块分别通过AI外观分选系统,按照致密、菜花、疏松的等级进行分类后,装箱、入库;所述的AI外观分选系统采用双面高速摄像机对硅料正反面进行拍摄,通过图像识别系统,对硅块的外观致密程度进行判断,反馈AI智能执行系统,将硅块按照致密、菜花、疏松进行分类;②所述的分离后的颗粒和粉末经过初级筛分后,得微粉料和非微粉料;a:将所述的微粉料通过单晶炉拉制,得到的单晶硅棒截断两端面后,进行切割,得所述的初级硅芯;b:将所述的非微粉料经过色选、磁选去除非硅异物、清洗、烘干后,通过筛分,分为颗粒料和粉末料,颗粒料进行装箱、入库,粉末料用于单晶炉拉制硅棒。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 新疆大全新能源股份有限公司 一种多晶硅的后处理工艺

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