申请/专利权人：松下知识产权经营株式会社

申请日：2020-03-13

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN112673483B

主分类号：H01L31/0248

分类号：H01L31/0248;H10K30/60;H01L31/08;H01L31/10;H01L27/146;H10K39/32

优先权：["20190410 JP 2019-075159","20200117 JP 2020-006104"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2022.03.08#实质审查的生效;2021.04.16#公开

摘要：本申请的一个方案的摄像装置具备：半导体基板；多个像素电极，其位于半导体基板的上方，且分别与半导体基板电连接；对置电极，其位于多个像素电极的上方；第1光电转换层，其位于多个像素电极与对置电极之间；和至少一个第1遮光体，其位于第1光电转换层内或第1光电转换层的上方。第1光电转换层包含：半导体型碳纳米管，其将第1波长范围的光吸收；和有机分子，其将半导体型碳纳米管覆盖，且吸收第2波长范围的光并发出第3波长范围的荧光。至少一个第1遮光体将第2波长范围的至少一部分波长的光吸收或反射。

主权项：1.一种摄像装置，其具备：半导体基板；多个像素电极，其位于所述半导体基板的上方，且分别与所述半导体基板电连接；对置电极，其位于所述多个像素电极的上方；第1光电转换层，其位于所述多个像素电极与所述对置电极之间；和至少一个第1遮光体，其位于所述第1光电转换层内或所述第1光电转换层的上方，所述第1光电转换层包含：半导体型碳纳米管，其具有吸收第1波长范围的光的特性；和有机分子，其将所述半导体型碳纳米管覆盖，且具有吸收第2波长范围的光并发出第3波长范围的荧光的特性，所述至少一个第1遮光体将所述第2波长范围的至少一部分波长的光吸收或反射。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 松下知识产权经营株式会社 摄像装置

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