申请/专利权人：湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司

申请日：2022-11-04

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN115579282B

主分类号：H01L21/02

分类号：H01L21/02;H01L21/683

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2023.01.24#实质审查的生效;2023.01.06#公开

摘要：本公开实施例提供一种晶圆的处理方法，所述方法包括：对第一晶圆的边缘进行第一修边处理，在所述第一晶圆的边缘的拐角处形成第一倾斜面；所述第一倾斜面为平面或凹面；键合所述第一晶圆和第二晶圆。本公开实施例可以在键合前或键合后对第一晶圆进行第一修边处理，使最终得到的结构具有第一倾斜面且第一倾斜面可以是凹面或者是平面。这样，若后续需要对第一晶圆与第二晶圆进行解键合，可通过预留的第一倾斜面方便的操作，这样不会对第一晶圆和或第二晶圆的键合面产生破坏。

主权项：1.一种晶圆的处理方法，其特征在于，所述方法包括：对第一晶圆的边缘进行第一修边处理，在所述第一晶圆的边缘的拐角处形成第一倾斜面；所述第一倾斜面为平面或凹面；键合所述第一晶圆和第二晶圆；对具有所述第一倾斜面的第一晶圆沉积抗刻蚀膜；所述抗刻蚀膜至少覆盖所述第一晶圆未被所述第二晶圆遮挡的表面区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北三维半导体集成创新中心有限责任公司 晶圆的处理方法

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