申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2019-06-26

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN110660701B

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67

优先权：["20180629 JP 2018-123831"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.04.16#实质审查的生效;2020.01.07#公开

摘要：本发明提供能够在处理基片时减少气氛调节气体的使用量的技术。本发明的一个方式的基片处理装置具有基片处理部、隔壁部、第一气体供给部和第二气体供给部。基片处理部对基片实施液体处理。隔壁部将从基片被送入的送入送出口到基片处理部的第一空间与第一空间以外的第二空间之间分隔开。第一气体供给部与隔壁部连接，对第一空间供给调节气氛的气氛调节气体。第二气体供给部与隔壁部中的与第一气体供给部不同的部位连接，向第一空间供给上述气氛调节气体。

主权项：1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：对基片实施液体处理的基片处理部；将从用于送入所述基片的送入送出口到所述基片处理部为止的第一空间与所述第一空间以外的第二空间之间分隔开的隔壁部；与所述隔壁部连接的、向所述第一空间供给调节气氛的气氛调节气体的第一气体供给部；和与所述隔壁部中的与所述第一气体供给部不同的部位连接的、向所述第一空间供给所述气氛调节气体的第二气体供给部，所述第一气体供给部和所述第二气体供给部与所述隔壁部中的与所述基片相对的位置连接，所述隔壁部具有覆盖所述基片的上方的上板部和包围所述基片的侧方的侧壁部，所述第一气体供给部和所述第二气体供给部与所述上板部连接，还包括液体供给部，其具有向所述基片排出处理液的处理液喷嘴，在所述上板部形成有供所述处理液喷嘴插通其中的贯通孔，所述第一气体供给部与所述贯通孔的内壁连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 基片处理装置、基片处理系统和基片处理方法

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