申请/专利权人：上海华力微电子有限公司

申请日：2021-03-30

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN113095036B

主分类号：G06F30/398

分类号：G06F30/398

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.07.27#实质审查的生效;2021.07.09#公开

摘要：本发明提供了一种三维结构的天线效应的判断方法，包括：识别待计算天线效应的有效栅极；计算所述有效栅极的栅氧理论面积和所述有效栅极的保护二极管的理论面积；对所述有效栅极的栅氧理论面积及所述有效栅极的保护二极管理论面积进行近似处理，以获得栅氧近似面积和保护二极管近似面积；计算导体面积与所述栅氧近似面积的比值，和或计算导体面积与所述栅氧近似面积和所述保护二极管近似面积两者之和的比值，并与天线比率阈值进行比较，以选出违反天线效应的图形。该方法可避免无关风险报错，并实现版图资源合理化应用。

主权项：1.一种三维结构的天线效应的判断方法，其特征在于，包括：识别待计算天线效应的有效栅极；计算所述有效栅极的栅氧理论面积和所述有效栅极的保护二极管的理论面积，所述栅氧理论面积的计算包括计算栅极跨单个鳍部的栅氧理论面积和栅极跨多个鳍部的栅氧理论面积；所述计算栅极跨单个鳍部的栅氧理论面积，通过鳍部的高度、鳍部的宽度以及栅极的长度计算，公式为：Gate_eff_sf_area＝2H+w*L其中，H为单个鳍部的高度；w为单个鳍部的宽度；L为单个栅极的长度；所述计算栅极跨多个鳍部的栅氧理论面积，通过有源区的宽度、鳍部的宽度、鳍部的高度、鳍部的间距以及鳍部的栅极长度计算，公式为：Gate_eff_df_area＝Gate_eff_sf*n＝[2H+w*L]*[F+ss+w]其中，H为单个鳍部的高度；w为单个鳍部的宽度；L为单个栅极长度；F为有源区的宽度；s为鳍部的间距，n为鳍部的个数；所述保护二极管理论面积的计算包括计算跨单个鳍部的保护二极管理论面积和跨多个鳍部的保护二极管理论面积，计算跨单个鳍部的二极管理论面积，通过鳍部的长度、鳍部的宽度以及鳍部上的栅极总长度计算，公式为：DIO_sf_area＝w*j-p其中，w为单个鳍部的宽度；j为单个鳍部的长度；p为单个鳍部上栅极的总长度；计算跨多个鳍部的二极管面积，通过有源区的宽度，鳍部的长度、鳍部的宽度、鳍部的间距、以及鳍部上的栅极总长度计算，公式为：DIO_df_area＝DIO_sf_area*n＝w*j-p*[F+ss+w]其中，w为单个鳍部的宽度；F为有源区的宽度；s为鳍部的间距；j为单个鳍部的长度；p为单个鳍部上栅极的总长度，n为鳍部的个数；对所述有效栅极的栅氧理论面积及所述有效栅极的保护二极管理论面积进行近似处理，以获得栅氧近似面积和保护二极管近似面积，所述的栅氧理论面积和所述保护二极管理论面积近似处理的方法中FINFET近似条件为H3w，s2w，其中，H为单个鳍部的高度；w为单个鳍部的宽度；s为鳍部的间距；计算导体面积与所述栅氧近似面积的比值，和或计算导体面积与所述栅氧近似面积和所述保护二极管近似面积两者之和的比值，并与天线比率阈值进行比较，以选出违反天线效应的图形。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华力微电子有限公司 三维结构的天线效应的判断方法

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