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【发明授权】一种可提高刻蚀一致性的刻蚀盘结构_扬州中科半导体照明有限公司_202311475840.9 

申请/专利权人:扬州中科半导体照明有限公司

申请日:2023-11-03

公开(公告)日:2024-03-22

公开(公告)号:CN117423599B

主分类号:H01J37/32

分类号:H01J37/32;H01L21/67

优先权:

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.03.22#授权;2024.02.06#实质审查的生效;2024.01.19#公开

摘要:一种可提高刻蚀一致性的刻蚀盘结构,属于晶圆加工技术领域,为了解决外圈的刻蚀区域较大,在刻蚀的过程中内外圈的温度不一致导致刻蚀速率差异的问题;本发明通过刻蚀母盘和刻蚀子盘的分体结构设计,以及螺旋气流通道的设计,可使冷却气体均匀地分布在刻蚀子盘的表面;本发明通过螺旋气流通道对每个刻蚀子盘进行针对性冷却,通过分散组装路径板依次对刻蚀母盘的外边缘、外圈至内圈进行冷却,在双重冷却操作下,使冷却气体能均匀接触刻蚀盘的内外圈,减少温度差异,以确保每个刻蚀子盘上的晶圆片在刻蚀过程中具有相同的温度环境,从而提高刻蚀效果的一致性,有效的改善内外圈温度不均和单个晶圆内刻蚀不一致的问题。

主权项:1.一种可提高刻蚀一致性的刻蚀盘结构,其特征在于:刻蚀盘包括刻蚀母盘(1)以及与其匹配的刻蚀子盘(3),刻蚀母盘(1)用于盛放所述的刻蚀子盘(3),刻蚀母盘(1)的上表面开设有配套槽(2),配套槽(2)设置有七组,七组配套槽(2)的内侧对应盛放有七组刻蚀子盘(3),配套槽(2)的内侧壁面设置有密封组件(4),刻蚀子盘(3)通过密封组件(4)与配套槽(2)相对接,刻蚀母盘(1)的内部设置有冷却内腔(5),冷却内腔(5)用于流通冷却气体,冷却气体用于降低刻蚀母盘(1)和刻蚀子盘(3)的温度,冷却内腔(5)的内部设置有导流组件(6),配套槽(2)的内底面开设有螺旋气流通道(21),螺旋气流通道(21)用于将冷却气体以螺旋形的方式引导至刻蚀子盘(3)的表面,螺旋气流通道(21)中央的首端设置有冷却气体进气口(22),螺旋气流通道(21)外圈的末端设置有第一冷却气体排气口(23),冷却气体进气口(22)和第一冷却气体排气口(23)相平行,一组刻蚀母盘(1)配套有七组刻蚀子盘(3),刻蚀母盘(1)用于对刻蚀子盘(3)进行冷却,刻蚀子盘(3)用于承载晶圆片进行刻蚀;导流组件(6)包括设置在冷却内腔(5)内底面中央的中心导柱(61)以及安装在中心导柱(61)外侧的分散组装路径板(62),分散组装路径板(62)设置有六组,六组分散组装路径板(62)分别与外围的六组刻蚀子盘(3)相对应。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 扬州中科半导体照明有限公司 一种可提高刻蚀一致性的刻蚀盘结构

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