申请/专利权人：铠侠股份有限公司

申请日：2020-01-07

公开（公告）日：2024-03-22

公开（公告）号：CN112447231B

主分类号：G11C16/08

分类号：G11C16/08;G11C16/10;G11C16/24;G11C16/26;G11C5/14

优先权：["20190828 JP 2019-156008"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.22#授权;2021.03.23#实质审查的生效;2021.03.05#公开

摘要：实施方式提供一种能够实现高速动作的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：存储单元；字线，连接于存储单元；源极线，连接于存储单元；位线，连接于存储单元；感测放大器，连接于存储单元；以及控制电路；在存储单元的读出动作中，控制电路构成为，对字线施加第1电压，在施加了第1电压之后，施加大于第1电压的第2电压，在施加了第2电压之后，施加大于第1电压且小于第2电压的第3电压，相应于对字线施加第2电压的时序而对源极线施加第4电压，在施加了第4电压之后，施加小于第4电压的第5电压，在施加了第5电压之后，施加大于第5电压的第6电压，相应于对源极线施加第4电压的时序而对感测放大器施加第7电压。

主权项：1.一种半导体存储装置，具备：存储单元；字线，连接于所述存储单元；源极线，连接于所述存储单元；位线，连接于所述存储单元；感测放大器，连接于所述存储单元；以及控制电路；在所述存储单元的读出动作中，所述控制电路构成为，对所述字线施加第1电压，在施加了所述第1电压之后，施加大于所述第1电压的第2电压，在施加了所述第2电压之后，施加大于所述第1电压且小于所述第2电压的第3电压，相应于对所述字线施加所述第2电压的时序而对所述源极线施加第4电压，在施加了所述第4电压之后，施加小于所述第4电压的第5电压，在施加了所述第5电压之后，施加大于所述第5电压的第6电压，相应于对所述源极线施加所述第4电压的时序而对所述感测放大器施加第7电压，所述第1电压与所述第2电压不是读出电压，所述第3电压为读出电压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 铠侠股份有限公司 非易失性半导体存储装置

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