申请/专利权人：西安电子科技大学芜湖研究院;西安电子科技大学

申请日：2024-01-19

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN117766568A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/861;H01L21/329

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.12#实质审查的生效;2024.03.26#公开

摘要：本发明涉及一种沟槽二极管雪崩整形器件及其制备方法，N+型衬底层具有斜角侧壁,N‑型外延层的侧壁位于斜角侧壁的延长线上；沟槽区设置于N‑型外延层的上表面下方，沟槽区内间隔设置有若干个沟槽；P+型离子注入区从N‑型外延层的上表面延伸至内部，包括：沟槽注入区和位于沟槽注入区两侧的弧面注入区；沟槽注入区位于沟槽区下方，在沟槽注入区内与沟槽一一对应设置有凸点。本发明通过在P+型离子注入区内设置沟槽注入区并与两侧的弧面注入区相结合，再结合斜角终端特征，弧面注入区与斜角终端形成等效的正斜角结构，缓解了电场集中。若干个凸点进行分压抑制了冶金结拐点位置处的电场集中效应，将电场集中引入体内，利用多点电场集中“准均匀”触发器件。

主权项：1.一种沟槽二极管雪崩整形器件，其特征在于，包括：N+型衬底层10，所述N+型衬底层10具有第一上表面11、第二上表面12和斜角侧壁13；所述第二上表面12位于所述第一上表面11上方，所述第一上表面11对称分布于所述第二上表面12的两侧；所述斜角侧壁13位于所述第一上表面11和所述第二上表面12之间，所述斜角侧壁13与所述第一上表面11所夹的锐角为θ1；N-型外延层20，设置于所述第二上表面12上，所述N-型外延层20的侧壁位于所述斜角侧壁13的延长线上；沟槽区30，设置于所述N-型外延层20的上表面下方，所述沟槽区30内间隔设置有若干个沟槽31；P+型离子注入区40，从所述N-型外延层20的上表面延伸至内部，包括：沟槽注入区41和位于所述沟槽注入区41两侧的弧面注入区42；所述沟槽注入区41位于所述沟槽区30下方，在所述沟槽注入区41内与所述若干个沟槽31一一对应设置有若干个凸点；所述弧面注入区42的下边缘呈弧面；第一电极50，设置于所述N+型衬底层10的下表面，与所述N+型衬底层10欧姆接触；第二电极60，设置于所述N-型外延层20的上表面，与所述P+型离子注入区40欧姆接触。

全文数据：

权利要求：

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