申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司

申请日：2023-04-25

公开（公告）日：2024-03-26

公开（公告）号：CN116487322B

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.03.26#授权;2023.08.11#实质审查的生效;2023.07.25#公开

摘要：本发明实施例公开一种形成导电互连结构的方法，包括：在导电层上形成预定掩膜图案；对第一掩膜图案进行掺杂，以在所述第一掩膜图案中形成预定深度的掺杂区域，其中，所述第一掩膜图案为已掺杂的所述预定掩膜图案，第二掩膜图案为未掺杂的所述预定掩膜图案；其中，所述掺杂区域的刻蚀速率大于未掺杂区域的刻蚀速率；利用所述第一掩膜图案和所述第二掩膜图案对所述导电层进行刻蚀，以形成导电互连结构；其中，对应于所述第二掩膜图案的区域的导电线的高度较高，形成为导电通路。

主权项：1.一种形成导电互连结构的方法，其特征在于，包括：在导电层上形成预定掩膜图案；对第一掩膜图案进行掺杂，以在所述第一掩膜图案中形成预定深度的掺杂区域，其中，所述第一掩膜图案为已掺杂的所述预定掩膜图案，第二掩膜图案为未掺杂的所述预定掩膜图案；其中，所述掺杂区域的刻蚀速率大于未掺杂区域的刻蚀速率；利用所述第一掩膜图案和所述第二掩膜图案对所述导电层进行刻蚀，以形成导电互连结构；其中，对应于所述第二掩膜图案的区域的导电线的高度较高，形成为导电通路。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 形成导电互连结构的方法

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