申请/专利权人：云南师范大学

申请日：2024-01-11

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790603A

主分类号：H01L31/0224

分类号：H01L31/0224;H01L31/18

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明涉及太阳电池技术领域，具体涉及一种在硅基底上制备栅线的方法，包括步骤：确定区域、表面处理、光刻和显影、金属沉积、去除光刻胶等步骤。其中，在确定区域步骤中，确定核心区域和非核心区域；在表面处理步骤中，处理硅基底的表面，使得核心区域的润湿性低、非核心区域的润湿性高。在甩胶时，核心区域的胶厚，非核心区域的胶薄。光刻等一些列操作后，在核心区域形成高分辨率的栅线，在非核心区域形成较低分辨率的栅线，满足了实际需求，但是减少了光刻胶的用量，节约了成本，在太阳电池技术领域具有良好的应用前景。

主权项：1.一种在硅基底上制备栅线的方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、确定区域：包括在硅基底表面上确定核心区域和非核心区域；步骤2、表面处理：包括处理硅基底的表面，使得核心区域的润湿性低、非核心区域的润湿性高；步骤3、光刻和显影：包括在硅基底上甩胶，使用光刻机器和光刻掩膜对光刻胶进行曝光；曝光后，去除光刻胶；步骤4、金属沉积：包括在栅线区域沉积金属；步骤5、去除光刻胶：包括去除硅基底上的光刻胶。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 云南师范大学 一种在硅基底上制备栅线的方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD