申请/专利权人：西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院

申请日：2023-12-27

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117787192A

主分类号：G06F30/394

分类号：G06F30/394;G06F30/398

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明涉及一种先进工艺CMOS集成电路多层互连的热等效电路简化方法，通过绘制先进工艺CMOS集成电路多层互连三维模型的结构剖面图；根据内部热流传递规律绘制初步简化的热流传递示意图，再绘制初步简化热等效电路；对结构进行热仿真和结果可视化处理；结合可视化热仿真结果与传热学原理对初步简化的热流传递示意图进行分析和再次简化得到结构的热流传递简化图；根据该热流传递简化图对结构的初步简化的热等效电路分析和再次简化，并根据热仿真结果验证和优化得到最终的热等效电路。本发明能够将与集成电路与相关的复杂热传导问题转化为电学问题，极大程度地提高工程中解决先进工艺CMOS集成电路多层互连结构的热学问题的效率。

主权项：1.一种先进工艺CMOS集成电路多层互连的热等效电路简化方法，其特征在于，包括：S100，根据工艺参数确定需要进行热等效电路简化的先进工艺CMOS集成电路的多层互连结构的几何尺寸，并根据所述几何尺寸绘制结构剖面图；S200，根据传热学原理分析所述先进工艺CMOS集成电路的互连层的内部热流传递规律，并依据所述热流传递规律在所述结构剖面图内绘制初步简化热流传递示意图；S300，根据传热学原理对所述初步简化热流传递示意图进行分析，绘制需要进行电热耦合模拟的对应互连结构的初步简化热等效电路；S400，使用包含热仿真功能的物理仿真软件对所述先进工艺CMOS集成电路的多层互连结构进行热仿真并进行结果可视化处理得到热仿真可视化结果；S500，根据所述热仿真可视化结果结合传热学原理对所述初步简化热流传递示意图进行分析和简化得到热流传递简化图；S600，根据所述热流传递简化图对初步简化热等效电路简化得到简化后的热等效电路。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 西安电子科技大学重庆集成电路创新研究院 先进工艺CMOS集成电路多层互连的热等效电路简化方法

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