申请/专利权人：北京大学

申请日：2022-11-14

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117790534A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/778;H01L27/085

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本发明公开了一种高稳定性的GaN器件以及GaN桥式集成电路。所述GaN器件是在传统的HEMT增强型器件结构基础上，在沟道层和缓冲层之间插入了一个背部阻挡层。当栅极和源极加正偏压时，会在背部阻挡层上表面形成一层空穴扩展层，该空穴扩展层可以屏蔽缓冲层中的负电中心，还可以屏蔽衬底电压对二维电子气的调制作用，从而能有效地抑制电流崩塌效应和衬底效应，从而实现高动态稳定性、低动态导通电阻的GaN器件。基于该GaN器件的桥式集成电路可以有效地降低器件互连时的寄生效应，提高GaN电路的工作频率和工作效率，且集成平台中的衬底效应可以被导电的空穴扩展层抑制。

主权项：1.一种GaN器件，为HEMT增强型器件，其特征在于，在沟道层和缓冲层之间插入了一个背部阻挡层。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京大学 一种高稳定性的GaN器件以及GaN桥式集成电路

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