申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2022-10-11

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117789793A

主分类号：G11C16/14

分类号：G11C16/14

优先权：["20220922 US 17/950,810"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：本公开提供了一种用于存储装置的擦除和擦除验证的方法。该方法包括施加第一擦除电压来擦除存储装置的存储单元。将第一擦除电压逐步地增加第一擦除阶跃电压，直到存储单元通过初始擦除验证。该方法还包括通过施加子擦除验证电压来确定存储单元是通过还是未通过子擦除验证。该方法还包括在子擦除验证之后施加第二擦除电压来擦除存储单元。使第二擦除电压从第一擦除电压增加第二擦除阶跃电压，该第二擦除阶跃电压小于第一擦除阶跃电压，并且根据存储单元是通过还是未通过子擦除验证来确定该第二擦除阶跃电压。

主权项：1.一种用于存储装置的擦除和擦除验证的方法，包括：施加第一擦除电压以擦除所述存储装置的存储单元，其中，将所述第一擦除电压逐步地增加第一擦除阶跃电压，直到所述存储单元通过使用比擦除验证电压高所述第一擦除阶跃电压的初始擦除验证电压的初始擦除验证；在所述存储单元通过所述初始擦除验证之后，通过施加子擦除验证电压来确定所述存储单元是通过还是未通过子擦除验证，其中，所述子擦除验证电压在所述擦除验证电压和所述初始擦除验证电压之间的范围内；以及在所述子擦除验证之后施加第二擦除电压以擦除所述存储单元，其中，使所述第二擦除电压从所述第一擦除电压增加第二擦除阶跃电压，所述第二擦除阶跃电压小于所述第一擦除阶跃电压，并且根据所述存储单元是通过还是未通过所述子擦除验证来确定所述第二擦除阶跃电压。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 用于三维NAND存储器的擦除和擦除验证

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