申请/专利权人：高通股份有限公司

申请日：2022-07-01

公开（公告）日：2024-03-29

公开（公告）号：CN117795849A

主分类号：H03H3/10

分类号：H03H3/10;H03H9/02;H03H9/10

优先权：["20210823 US 17/409,282"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.16#实质审查的生效;2024.03.29#公开

摘要：公开了采用用于散热的增强型导热腔框架128的表面声波SAW滤波器封装103及相关制造方法。SAW滤波器封装还包括腔框架，腔框架包括周边结构和在耦接到压电材料基板104的周边结构内的腔120，压电材料基板包括叉指式换能器IDT1081、1082。盖基板126设置在腔框架的周边结构上，以包围基板与盖基板之间的周边结构内的气腔120。在示例性方面，为了有效地耗散在SAW滤波器封装中生成的热量以维持SAW滤波器的所期望性能，腔框架包含具有大于5WKm的增强的热导率的材料，如金刚石、氮化硅、氧化铝、蓝宝石。在SAW滤波器封装中生成的热量可被更有效地耗散，尤其在腔框架的特别可能出现热点的边缘和拐角处。盖基板126和框架128的边缘可被对齐以用于制造细节，如盖基板和基部基板的对齐。盖基板顶部上的倒装芯片连接在盖基板和框架的外部对齐侧壁处具有连接。

主权项：1.一种表面声波SAW滤波器封装，包括：基板，所述基板包含压电材料并且具有第一表面；盖基板；和金刚石腔框架，所述金刚石腔框架设置在所述基板与所述盖基板之间并且在所述盖基板与所述基板的所述第一表面之间形成腔；第一叉指式换能器IDT，所述第一IDT在所述腔内的所述基板的所述第一表面上；和第二IDT，所述第二IDT在所述腔内的所述基板的所述第一表面上。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 高通股份有限公司 采用用于散热的增强型导热腔框架的表面声波（SAW）滤波器封装及相关制造方法

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