申请/专利权人：无锡华润微电子有限公司

申请日：2022-09-23

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810162A

主分类号：H01L21/762

分类号：H01L21/762;H01L21/768;H01L23/528;H01L23/538

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本申请提供了一种半导体结构及其制作方法。该半导体结构包括衬底以及形成于衬底上的多个晶体管，各晶体管包括阱区、掺杂区和栅极结构，阱区形成于衬底中，栅极结构位于阱区表面，掺杂区形成于栅极结构两侧的阱区中，相邻晶体管中阱区的掺杂类型不同，且同一晶体管中阱区与掺杂区的掺杂类型不同，半导体结构还包括：浅槽隔离结构，贯穿至相邻晶体管之间的衬底中；导电通道，一一对应地设置于浅槽隔离结构远离衬底的一侧，且一个导电通道同时与相邻两个晶体管中的掺杂区接触；互连层，设置于导电通道远离衬底的一侧，互连层通过导电通道与掺杂区连接。上述结构有利于半导体结构中相邻晶体管之间距离的进一步缩小，实现了器件尺寸的微缩化。

主权项：1.一种半导体结构，其特征在于，包括衬底以及形成于所述衬底上的多个晶体管，各所述晶体管包括阱区、掺杂区和栅极结构，所述阱区形成于所述衬底中，所述栅极结构位于所述阱区表面，所述掺杂区形成于所述栅极结构两侧的阱区中，相邻所述晶体管中所述阱区的掺杂类型不同，且同一所述晶体管中所述阱区与所述掺杂区的掺杂类型不同，所述半导体结构还包括：浅槽隔离结构，贯穿至相邻所述晶体管之间的所述衬底中；导电通道，一一对应地设置于所述浅槽隔离结构远离所述衬底的一侧，且一个所述导电通道同时与相邻两个所述晶体管中的所述掺杂区接触；互连层，设置于所述导电通道远离所述衬底的一侧，所述互连层通过所述导电通道与所述掺杂区连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 无锡华润微电子有限公司 半导体结构及其制作方法

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD