申请/专利权人：深圳市新凯来工业机器有限公司

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810089A

主分类号：H01L21/34

分类号：H01L21/34;H01L21/42;H01L21/46

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本申请实施例提供一种薄膜晶体管的制备方法，涉及半导体技术领域，解决偏压稳定性差的技术问题。该薄膜晶体管的制备方法包括：形成沟道层，沟道层的材质为过渡金属氧化物；利用含硫和氟的气体或等离子体对沟道层进行处理，以降低沟道层的氧空位和陷阱态。利用硫和氟与沟道层中的氧空位结合，两种元素均可以抑制氧空位，抑制效果更明显。同时，硫和氟均可以钝化沟道层表面的悬挂键等陷阱态，修复沟道层的缺陷，两种元素均可以钝化沟道层，钝化效果更明显，以有效减少氧空位和陷阱态，从而可以抵抗环境中氢的影响，避免氢在沟道层中扩散，提高偏压稳定性，尤其是高温偏压稳定性。

主权项：1.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，包括：形成沟道层，所述沟道层的材质为过渡金属氧化物；利用含硫和氟的气体或等离子体对所述沟道层进行处理，以降低所述沟道层的氧空位和陷阱态。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳市新凯来工业机器有限公司 薄膜晶体管的制备方法

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