申请/专利权人:泉州三安半导体科技有限公司
申请日:2023-12-13
公开(公告)日:2024-04-02
公开(公告)号:CN117810336A
主分类号:H01L33/24
分类号:H01L33/24;H01L33/38;H01L33/14;H01L33/62
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开
摘要:本申请提供了一种LED芯片、LED芯片制作方法及发光装置,该LED芯片至少包括外延结构及电流扩展层,其中,外延结构具有出光面以及与所述出光面相对的背面,外延结构的出光面为具有微结构的粗化表面,微结构包括凹陷区,以及位于凹陷区之间的平坦区;电流扩展层覆盖于外延结构的平坦区的表面,以形成网状覆盖层。通过将外延结构的出光面形成为具有微结构的粗化表面,由此能够增加LED芯片的光萃取率,电流扩展层确保LED芯片的电流注入效率,从而保证了芯片质量可靠性,呈网状覆盖的电流扩展层减小了其整体覆盖面积和对光线的吸收面积,进一步提高了LED芯片的发光亮度。
主权项:1.一种LED芯片,其特征在于,至少包括:外延结构,所述外延结构具有出光面以及与所述出光面相对的背面,所述外延结构的所述出光面为具有微结构的粗化表面,所述微结构包括凹陷区,以及位于所述凹陷区之间的平坦区;电流扩展层,所述电流扩展层覆盖于所述外延结构的所述平坦区的表面,至少部分为网状覆盖层。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 泉州三安半导体科技有限公司 LED芯片、LED芯片制作方法及发光装置
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