申请/专利权人:江西兆驰半导体有限公司
申请日:2024-02-29
公开(公告)日:2024-04-02
公开(公告)号:CN117810324A
主分类号:H01L33/06
分类号:H01L33/06;H01L33/12;H01L33/00
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开
摘要:本发明公开了一种发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管,涉及半导体技术领域。其中,所述发光二极管外延片包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层,所述有源层包括超晶格层、末阱层和末垒层;所述超晶格层包括交替层叠的势阱层和势垒层,所述势阱层为InGaN层;所述势垒层包括依次层叠的C掺杂InGaN层、C‑Si共掺杂AlGaN层和C掺杂GaN层;所述末阱层为InGaN末阱层,所述末垒层包括依次层叠的C掺杂InGaN末垒层和C掺杂AlGaN末垒层。实施本发明,能够提高载流子在有源层的辐射复合效率,从而提高发光二极管的发光效率。
主权项:1.一种发光二极管外延片,其特征在于,包括衬底及依次层叠于所述衬底上的缓冲层、非掺杂GaN层、N型GaN层、有源层、电子阻挡层和P型GaN层,所述有源层包括超晶格层、末阱层和末垒层;所述超晶格层包括交替层叠的势阱层和势垒层,所述势阱层为InGaN层;所述势垒层包括依次层叠的C掺杂InGaN层、C-Si共掺杂AlGaN层和C掺杂GaN层;所述末阱层为InGaN末阱层,所述末垒层包括依次层叠的C掺杂InGaN末垒层和C掺杂AlGaN末垒层。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 江西兆驰半导体有限公司 发光二极管外延片及其制备方法、发光二极管
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息,力求客观、公正,但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解,仅供参考使用,不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。