申请/专利权人:英诺赛科(苏州)半导体有限公司
申请日:2022-12-02
公开(公告)日:2024-04-02
公开(公告)号:CN117813692A
主分类号:H01L29/778
分类号:H01L29/778;H01L21/68
优先权:
专利状态码:在审-实质审查的生效
法律状态:2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开
摘要:一种氮化物基半导体载体包括调整载体、顶部载体、多个调整装置、晶圆盒和氮化物基半导体晶圆。顶部载体设置在调整载体的上方。调整装置连接调整载体和顶部载体。晶圆盒设置在顶部载体上。氮化物基半导体晶圆设置在晶圆盒中。顶部载体具有多个传感器。调整载体具有控制器。控制器电连接到传感器和调整装置。控制器被配置为根据来自传感器的信号控制调整装置。调整装置被配置为控制顶部载体的旋转和位置。氮化物基半导体晶圆具有第一氮化物基半导体层、第二氮化物基半导体层和2DEG区域。
主权项:1.一种氮化物基半导体载体,包括:调整载体;顶部载体,设置在所述调整载体上方;多个调整装置,连接所述调整载体和所述顶部载体;晶圆盒,设置在所述顶部载体上;以及氮化物基半导体晶圆,设置在所述晶圆盒中;其中,所述顶部载体具有多个传感器,所述调整载体具有控制器,所述控制器电连接到所述传感器和所述调整装置;其中,所述控制器被配置为根据来自所述传感器的信号控制所述调整装置,并且所述调整装置被配置为控制所述顶部载体的旋转和位置;其中,所述氮化物基半导体晶圆具有第一氮化物基半导体层和第二氮化物基半导体层,所述第二氮化物基半导体层设置在所述第一氮化物基半导体层上,所述第二氮化物基半导体层的带隙大于所述第一氮化物基半导体层的带隙,并且在所述第一氮化物基半导体层和所述第二氮化物基半导体层之间的界面附近形成2DEG区域。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 英诺赛科(苏州)半导体有限公司 氮化物基半导体载体及其校准方法
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