申请/专利权人：苏州能讯高能半导体有限公司

申请日：2022-09-23

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117810246A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/20;H01L21/3065

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.19#实质审查的生效;2024.04.02#公开

摘要：本发明公开了一种外延结构及其制备方法。所述外延结构包括依次层叠的衬底、第一外延层、插入层和第二外延层；所述插入层的材料与所述第一外延层和所述第二外延层中至少一个的材料不同；所述插入层靠近所述第二外延层的表面形成有多种凹槽。本发明能够解决外延结构热阻较大的问题。

主权项：1.一种外延结构，其特征在于，所述外延结构包括依次层叠的衬底、第一外延层、插入层和第二外延层；所述插入层的材料与所述第一外延层和所述第二外延层中至少一个的材料不同；所述插入层靠近所述第二外延层的表面形成有多种凹槽，所述第二外延层填充所述凹槽。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 苏州能讯高能半导体有限公司 外延结构及其制备方法

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