申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2017-07-14

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN112259457B

主分类号：H01L21/3213

分类号：H01L21/3213;H01L21/02;H01L21/683;H01J37/32

优先权：["20160715 JP 2016-140043"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.02.09#实质审查的生效;2021.01.22#公开

摘要：本发明提供一种能够导入干清洁并且能够延长处理容器的维护周期的等离子体处理方法。该等离子体蚀刻方法，利用等离子体蚀刻装置对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，上述等离子体蚀刻方法包括：选定处理气体以使得在上述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；在上述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对上述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；和在进行了一次或两次以上的规定次数的上述进行等离子体蚀刻处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对上述等离子体蚀刻装置的腔室内进行干清洁的步骤。

主权项：1.一种等离子体蚀刻方法，其利用等离子体蚀刻装置在腔室内对形成于基板上的规定的膜进行等离子体蚀刻，所述等离子体蚀刻方法的特征在于，包括：选定处理气体以使得在所述等离子体蚀刻装置中的等离子体蚀刻处理中，生成的反应生成物成为能够干清洁的物质的步骤；在所述等离子体蚀刻装置中利用预先选定的处理气体对所述规定的膜进行等离子体蚀刻处理的步骤；和在进行了一次或两次以上的规定次数的所述进行等离子体蚀刻处理的步骤后，利用干清洁气体的等离子体对所述等离子体蚀刻装置的所述腔室内进行干清洁的步骤，作为所述干清洁时的所述干清洁气体，使用与所述等离子体蚀刻时所使用的所述处理气体相同的气体，所述规定的膜为Mo类材料膜，所述处理气体为含氟气体，所述处理气体不含O2气体，在进行所述等离子体蚀刻时，作为所述反应生成物生成MoFx，不生成MoOx。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 等离子体蚀刻方法、等离子体蚀刻装置和基板载置台

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