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【发明授权】气相外延方法_阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司_202011353147.0 

申请/专利权人:阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司

申请日:2020-11-27

公开(公告)日:2024-04-02

公开(公告)号:CN113005514B

主分类号:C30B25/16

分类号:C30B25/16;C30B29/40;H01L21/205

优先权:["20191220 DE 102019008927.8"]

专利状态码:有效-授权

法律状态:2024.04.02#授权;2021.07.09#实质审查的生效;2021.06.22#公开

摘要:气相外延方法,具有以下方法步骤:在反应腔中由外延气流的气相在衬底的表面或前面层上生长具有从n掺杂改变至p掺杂的掺杂变化曲线的III‑V层,该外延气流包括至少一个承载气体、用于III.主族中的第一前体和用于V.主族中的第一元素的至少一个第二前体并且被导入到反应腔中,其中,在达到第一生长高度时,借助于外延气流中的第一前体的第一质量流相对于第二前体的第二质量流的、导致p掺杂的比例并且在将用于n掺杂剂的第三前体的第三质量流添加至外延气流的情况下调设出n掺杂初始值,随后,第三质量流和或第一质量流和第二质量流之间的比例跨越具有至少10μm的生长高度的过渡区域层逐步地改变,直至达到p掺杂目标值。

主权项:1.气相外延方法,具有以下方法步骤:-在反应腔K中由外延气流F的气相在衬底S的表面上生长具有从n掺杂改变至p掺杂的掺杂变化曲线的III-V层,该外延气流具有承载气体、用于III.主族中的第一元素的至少一个第一前体和用于V.主族中的第一元素的至少一个第二前体,其中,-在达到第一生长高度x1时,借助于所述外延气流F中的所述第一前体的第一质量流相对于所述第二前体的第二质量流的、导致p掺杂的比例并且在将用于n掺杂剂的第三前体的第三质量流MDot添加至所述外延气流F的情况下调设出n掺杂初始值DA1,-随后,所述第三质量流MDot和或所述第一质量流和所述第二质量流之间的比例跨越具有至少10μm的生长高度x的过渡区域层逐步地或连续地改变,直至达到p掺杂目标值DZ。

全文数据:

权利要求:

百度查询: 阿聚尔斯佩西太阳能有限责任公司 气相外延方法

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