申请/专利权人：佳能株式会社

申请日：2020-03-03

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN111668350B

主分类号：H01L33/00

分类号：H01L33/00;H01L33/06;H01L33/10;G03G15/04

优先权：["20190306 JP 2019-040659"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2021.03.23#实质审查的生效;2020.09.15#公开

摘要：本公开涉及发光晶闸管、发光晶闸管阵列、曝光头和图像形成设备。发光晶闸管包括层状结构，所述层状结构在半导体基板上按顺序具有半导体DBR层、第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、第三半导体层和第二导电类型的第四半导体层，所述第三半导体层具有第一导电类型的至少一个第五半导体层和多量子阱结构，所述第五半导体层存在于第二半导体层和多量子阱结构之间，所述多量子阱结构由势垒层和量子阱层形成，并且所述量子阱层的数量大于或等于10。

主权项：1.一种发光晶闸管，其特征在于所述发光晶闸管包括层状结构，所述层状结构在半导体基板上按顺序具有半导体DBR层、第一导电类型的第一半导体层、第二导电类型的第二半导体层、第三半导体层和第二导电类型的第四半导体层，其中，所述第三半导体层具有第一导电类型的至少一个第五半导体层和多量子阱结构，其中，所述第五半导体层存在于所述第二半导体层和所述多量子阱结构之间，其中，所述多量子阱结构由势垒层和量子阱层形成，其中，作为所述势垒层的带隙与所述量子阱层的带隙之间的差的带隙差小于或等于0.15eV，以及其中，所述量子阱层的数量大于或等于10并且小于或等于50。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 佳能株式会社 发光晶闸管、发光晶闸管阵列、曝光头和图像形成设备

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