申请/专利权人:三菱电机株式会社
申请日:2019-10-25
公开(公告)日:2024-04-02
公开(公告)号:CN114556724B
主分类号:H01S5/0237
分类号:H01S5/0237;H05K1/02;H05K1/18
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.04.02#授权;2022.06.14#实质审查的生效;2022.05.27#公开
摘要:第1导电图案13设置于次基台7的上表面。GND图案9设置于次基台7的下表面侧。电容器3的下表面电极21与第1导电图案13通过焊料22接合。电容器3的上表面电极23与发光元件2连接。终端电阻4与第1导电图案13连接。第1导电图案13具有在俯视观察时从电容器3伸出的伸出部25。伸出部25的横向宽度比电容器3的横向宽度窄。
主权项:1.一种光半导体装置,其特征在于,所述光半导体装置具备:次基台;第1导电图案,设置于所述次基台的上表面;GND图案,设置于所述次基台的下表面侧;发光元件;电容器,具有与所述第1导电图案通过焊料接合的下表面电极、和与所述发光元件连接的上表面电极;以及终端电阻,与所述第1导电图案连接,所述第1导电图案具有在俯视观察时从所述电容器伸出的伸出部,所述伸出部的横向宽度比所述电容器的横向宽度窄,所述伸出部从所述电容器的外周的2处以上的位置伸出,所述下表面电极设置于所述电容器的电介质的整个下表面。
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