申请/专利权人：山东硅纳新材料科技有限公司

申请日：2024-01-30

公开（公告）日：2024-04-02

公开（公告）号：CN117645299B

主分类号：C01B33/021

分类号：C01B33/021;C22B26/22

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.02#授权;2024.03.22#实质审查的生效;2024.03.05#公开

摘要：本发明提供了一种高安全连续制备高纯度纳米硅材料的方法及真空取镁装置，所述制备方法以硅化镁粉为原料，包括升温段、保温段、取镁段和降温段四个阶段，通过严格控制反应温度、反应时间、反应中真空度等条件进行硅化镁脱合金分解反应，制得高纯度的纳米硅材料；同时在配备真空取镁装置的连续真空回转窑中，反应可以安全、高效、稳定、连续的进行。本发明的制备方法简单，装置精巧，可以连续安全高效的从硅化镁制备高纯度的纳米硅材料，并且生产过程中的镁可以进一步的回收利用，极大的节约了生产成本与资源。

主权项：1.高安全连续制备高纯度纳米硅材料的方法，其特征在于，所述方法的具体步骤为：将亚微米级硅化镁粉转移至连续真空回转窑中的进料仓中，在真空条件下，将硅化镁粉输送至连续真空回转窑的炉体中进行反应；首先在升温段运行1-2h对物料进行加热，升温段温度为400-500℃；在保温段运行1-4h进行硅化镁脱合金反应；再在取镁段运行3-6h；最后在降温段运行1-3h后，得到所述高纯度纳米硅材料；所述硅化镁粉的平均粒径为200-800nm，纯度≥98%；所述连续真空回转窑的炉体的转速为0.2-1.5rpm，所述炉体的真空度为0.001-1Pa；所述连续真空回转窑的炉体内物料装填量≤10%；所述保温段温度为600-700℃，取镁段温度为350-450℃。

全文数据：

权利要求：

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