申请/专利权人：湖北九峰山实验室

申请日：2023-12-14

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855266A

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L29/06;H01L21/335

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明提供一种具有低欧姆接触电阻率的GaN基HEMT器件及其制备方法，上述GaN基HEMT器件包括衬底、缓冲层、非掺杂u‑GaN层、重掺杂n+GaN层及异质结；缓冲层设于衬底上；非掺杂u‑GaN层设于缓冲层上；重掺杂n+GaN层设于非掺杂u‑GaN层上，重掺杂n+GaN层的中部设有凹槽；异质结设于凹槽中，且异质结的底部与非掺杂u‑GaN层的上表面接触。该器件预先外延生长n+GaN层，这样生长的GaN中Si掺杂浓度与器件版图和光罩设计无相关性，外延工艺一致性较好；通过二次外延引入GaN基异质结形成二维电子气导电通道，与常规重掺n+GaN源漏二次外延技术相比，可以避免再生长导致的异质界面原子分离和扩散，从而保持良好的二维电子气传输特性。

主权项：1.一种具有低欧姆接触电阻率的GaN基HEMT器件，其特征在于，包括：衬底、缓冲层、非掺杂u-GaN层、重掺杂n+GaN层及异质结；所述缓冲层设于所述衬底上；所述非掺杂u-GaN层设于所述缓冲层上；所述重掺杂n+GaN层设于所述非掺杂u-GaN层上，所述重掺杂n+GaN层的中部设有凹槽；所述异质结设于所述凹槽中，且所述异质结的底部与所述非掺杂u-GaN层的上表面接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 湖北九峰山实验室 一种具有低欧姆接触电阻率的GaN基HEMT器件及其制备方法

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