申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-09-21

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117850177A

主分类号：G03F9/00

分类号：G03F9/00;H01L21/66;H01L21/67;H01L21/308;G03F7/20

优先权：["20221005 KR 10-2022-0126885"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.09#公开

摘要：提供了校正套刻和控制半导体工艺的方法以及半导体处理设备。所述校正套刻的方法包括：通过将从第一掩模反射的极紫外光照射到第一层而在多个第一射击区域中形成第一图案；通过将从第二掩模反射的极紫外光照射到第二层而在多个第二射击区域中的每个中形成第二图案；将一对第二射击区域与每个第一射击区域匹配；以及生成用于校正第二图案的套刻误差的第一校正参数和第二校正参数，其中，第一校正参数被配置为基于与每个第二射击区域匹配的第一射击区域来校正每个第二射击区域的套刻误差，并且第二校正参数被配置为校正与每个第一射击区域匹配的一对第二射击区域之间的套刻误差。

主权项：1.一种校正套刻的方法，所述方法包括：通过经由第一光学系统将从第一掩模反射的极紫外光照射到第一层，在多个第一射击区域中形成多个第一图案；通过经由不同于所述第一光学系统的第二光学系统将从第二掩模反射的极紫外光照射到所述第一层上方的第二层，在多个第二射击区域中的每个中形成多个第二图案；将所述多个第二射击区域之中的一对第二射击区域与所述多个第一射击区域中的每个第一射击区域进行匹配；以及生成用于校正所述多个第二射击区域中的每个中的所述多个第二图案的套刻误差的第一校正参数和第二校正参数，其中，所述第一校正参数包括用于基于与所述多个第二射击区域中的每个匹配的所述第一射击区域来校正所述多个第二射击区域中的每个的套刻误差的参数，并且所述第二校正参数包括用于校正与所述多个第一射击区域中的每个匹配的所述一对第二射击区域之间的套刻误差的参数。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 校正套刻和控制半导体工艺的方法以及半导体处理设备

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