申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2023-09-27

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117858506A

主分类号：H10B41/41

分类号：H10B41/41;H10B43/40;H10B41/35;H10B43/27;H10B41/27;H10B43/35

优先权：["20221004 KR 10-2022-0126038"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.09#公开

摘要：一种半导体器件包括：第一半导体结构，包括在第一衬底上的电路元件、连接到电路元件的下互连结构、以及覆盖电路元件的外围区域绝缘层；以及第二半导体结构，包括在第一衬底上的第二衬底、包括彼此间隔开并堆叠在第二衬底上的第一栅电极和第二栅电极的第一堆叠结构、与第一栅电极和第二栅电极交替堆叠的层间绝缘层、穿过第一栅电极和第二栅电极的第一接触插塞和第二接触插塞、以及与层间绝缘层交替设置并围绕接触插塞的接触插塞绝缘层。第二半导体结构包括第一电容器结构，该第一电容器结构包括第一栅电极、多个接触插塞绝缘层和第二接触插塞，或者第二栅电极、多个接触插塞绝缘层和第一接触插塞。

主权项：1.一种半导体器件，包括：第一半导体结构，包括衬底、在所述衬底上的电路元件、包括电连接到所述电路元件的第一下互连结构和第二下互连结构的下互连结构、以及在所述电路元件上的外围区域绝缘层，所述第一下互连结构和所述第二下互连结构具有不同的电势；以及第二半导体结构，包括栅电极、与所述栅电极交替堆叠的层间绝缘层、接触插塞、以及与所述层间绝缘层交替设置的接触插塞绝缘层，所述栅电极包括彼此间隔开并且在第一方向上堆叠在所述第一半导体结构上的第一栅电极和第二栅电极，所述第一栅电极和所述第二栅电极具有不同的电势，所述接触插塞包括穿过所述栅电极并在所述第一方向上延伸到所述第一半导体结构中的第一接触插塞和第二接触插塞，所述第一接触插塞和所述第二接触插塞具有不同的电势，所述接触插塞绝缘层围绕所述接触插塞延伸，其中所述第二半导体结构进一步包括：第一电容器结构，包括所述第一栅电极、至少一个所述接触插塞绝缘层和所述第二接触插塞，或者包括所述第二栅电极、至少一个所述接触插塞绝缘层和所述第一接触插塞；以及第二电容器结构，包括所述第一栅电极、至少一个所述层间绝缘层和所述第二栅电极，以及所述第一半导体结构进一步包括：第三电容器结构，包括所述第一下互连结构、所述外围区域绝缘层和所述第二下互连结构。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 半导体器件和包括半导体器件的电子系统

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