申请/专利权人：南亚科技股份有限公司

申请日：2023-05-10

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117858501A

主分类号：H10B12/00

分类号：H10B12/00

优先权：["20220927 US 17/953,522"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本申请提供一种半导体元件。该半导体元件包括一基底、一位元线、一半导体层及一字元线。该位元线设置于该基底上。该半导体层设置于该位元线上。该字元线邻接该半导体层。该字元线具有面向该基底的一下表面及与该下表面相对的一上表面。该半导体层包括具有一第一导电类型的一第一掺杂区及与该第一导电类型相反的一第二导电类型的一第二掺杂区。该第一掺杂区设置于该第二掺杂区与该位元线之间。该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的第一边界实质上与该字元线的该下表面对齐。该第一掺杂区的一掺杂物与该第三掺杂区的一掺杂物不同。该第二掺杂区与一第三掺杂区之间的一第二边界实质上与该字元线的该上表面对齐。

主权项：1.一种半导体元件，包括：一基底；一位元线，设置于该基底上；一半导体层，设置于该位元线上；以及一字元线，邻接该半导体层，其中该字元线具有面向该基底的一下表面及与该下表面相对的一上表面，其中该半导体层包括一第一掺杂区，具有一第一导电类型，以及一第二掺杂区，具有与该第一导电类型相反的一第二导电类型，该第一掺杂区设置于该第二掺杂区与该位元线之间，并且该第一掺杂区与该第二掺杂区之间的一第一边界与该字元线的该下表面实质上对齐，其中该第一掺杂区的一掺杂物与一第三掺杂区的一掺杂物不同，其中该第二掺杂区与一第三掺杂区之间的一第二边界实质上与该字元线的该上表面对齐。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 南亚科技股份有限公司 具有半导体通道层的半导体元件

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