申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司

申请日：2024-02-22

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855253A

主分类号：H01L29/06

分类号：H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336;H01L27/088

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种屏蔽栅MOS器件及其制备方法、芯片，在衬底层的正面形成凹形结构的N型漂移区，N型漂移区的凹槽内形成屏蔽栅多晶硅层和栅极多晶硅层，栅极多晶硅层位于屏蔽栅多晶硅层的上方，且栅极介质层分别包裹屏蔽栅多晶硅层和栅极多晶硅层，第一P型岛区、第二P型岛区形成于栅极介质层的两侧，第一高K介质层和第二高K介质层形成于栅极介质层的两侧，通过在N型漂移区形成P型岛区和高K介质层，由第一高K介质层和第二高K介质层形成高电场，拉高器件内互联区域的低电场，并由第一P型岛区、第二P型岛区对屏蔽栅进行辅助耗尽，减弱底部的栅极介质层的电场，进一步提高器件的电场，提升器件的耐压。

主权项：1.一种屏蔽栅MOS器件，其特征在于，所述屏蔽栅MOS器件包括：衬底层和漏极层，所述漏极层形成于所述衬底层的背面；缓冲层、N型漂移区，所述缓冲层形成于所述N型漂移区与所述衬底层的正面之间；其中，所述N型漂移区为凹形结构；栅极介质层，形成于所述N型漂移区的凹槽底部以及凹槽内壁；屏蔽栅多晶硅层和栅极多晶硅层，形成于所述栅极介质层内，所述栅极多晶硅层位于所述屏蔽栅多晶硅层的上方，且所述栅极介质层分别包裹所述屏蔽栅多晶硅层和所述栅极多晶硅层；第一P型岛区、第二P型岛区，形成于所述屏蔽栅多晶硅层的两侧，且所述第一P型岛区、所述第二P型岛区与所述栅极介质层互不接触；第一P型基区、第二P型基区，形成于所述N型漂移区的两侧部上，且所述第一P型基区和所述第二P型基区与所述栅极介质层接触；第一高K介质层，形成于所述第一P型基区与所述第一P型岛区之间；第二高K介质层，形成于所述第二P型基区与所述第二P型岛区之间；第一N型源区、第二N型源区，分别形成于所述第一P型基区和所述第二P型基区上；第一P型重掺杂区和第二P型重掺杂区，分别形成于所述N型漂移区的两侧部上；第一肖特基金属层和第二肖特基金属层，分别形成于所述N型漂移区的两侧部上；源极层，形成于所述第一N型源区、所述第二N型源区、所述第一P型重掺杂区、所述第二P型重掺杂区、所述第一肖特基金属层以及所述第二肖特基金属层上，且所述源极层与所述屏蔽栅多晶硅层连接。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 深圳天狼芯半导体有限公司 屏蔽栅MOS器件及其制备方法、芯片

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