申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2018-07-04

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117855096A

主分类号：H01L21/67

分类号：H01L21/67;B08B3/02

优先权：["20170704 JP 2017-131473"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明提供一种基片处理装置和基片处理方法。该方法包括：对基片供给挥发性比处理液高的第一干燥液形成液膜后，一边使基片旋转，一边以从基片的旋转中心O至第一干燥液的供给位置P1的距离R1逐渐增大的方式使第一干燥液的供给位置移动，从而一边使干燥区域DC呈同心圆状不断扩大，一边使基片干燥的干燥步骤。该干燥步骤包括一边将第一干燥液供给到基片一边将第二干燥液供给到基片的步骤，此时的基片的旋转中心至第二干燥液的供给位置P2的距离R1，大于基片的旋转中心至第一干燥液的供给位置P1的距离R2。由此，能够使干燥界面的干燥条件最佳化并防止液膜在基片表面上崩坏。

主权项：1.一种基片处理方法，其特征在于，包括：使用处理液来处理基片的处理步骤；和干燥步骤，对旋转的所述基片供给挥发性比所述处理液高的第一干燥液而形成液膜之后，以所述基片上的从所述基片的旋转中心至所述第一干燥液的供给位置的距离逐渐增大的方式使所述第一干燥液的所述供给位置移动，从而一边使干燥区域呈同心圆状不断扩展，一边使所述基片干燥，所述干燥步骤包括：一边将所述第一干燥液供给到所述基片，一边将挥发性比所述处理液高的第二干燥液供给到所述基片的步骤，以及向所述基片供给干燥气体的步骤，此时，俯视时的所述基片上的所述第一干燥液的供给位置与所述第二干燥液的供给位置相互不同，所述基片上的所述干燥气体的供给位置位于所述干燥区域内，在所述干燥步骤中，所述第一干燥液是从通过第一干燥液喷嘴移动机构来移动的第一干燥液喷嘴供给的，所述第二干燥液是从通过第二干燥液喷嘴移动机构来移动的第二干燥液喷嘴供给的，所述干燥气体是从通过气体喷嘴移动机构来移动的气体喷嘴供给的，所述第一干燥液喷嘴、所述第二干燥液喷嘴和所述气体喷嘴以从所述基片的旋转中心离开的方式相互向不同的方向移动，在所述干燥步骤中，以维持以下条件的方式使所述第一干燥液、所述第二干燥液和所述干燥气体的供给位置移动，该条件是所述基片上的从所述基片的旋转中心至所述第二干燥液的供给位置的距离大于从所述基片的旋转中心至所述第一干燥液的供给位置的距离，并且，所述基片上的从所述基片的旋转中心至所述第一干燥液的供给位置的距离大于从所述基片的旋转中心至所述干燥气体的供给位置的距离。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 基片处理装置和基片处理方法

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