申请/专利权人：大众汽车股份公司

申请日：2023-09-27

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117856597A

主分类号：H02M1/32

分类号：H02M1/32;H02M1/088;H02M1/00;H02M7/5387

优先权：["20221007 DE 102022210614.8"]

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明涉及一种用于运行由分立的MOSFETT1‑T4组成的半桥电路2的方法，其中，半桥电路2具有至少两个并联的高边开关和至少两个并联的低边开关，其中，MOSFETT1‑T4借助于至少一个栅极驱动模块3、4操控，其中，MOSFETT1‑T4的栅极联接部G1‑G4单独地被引导出来，其中，栅极联接部G1‑G4关联有可接入且可调整的电阻R，其中，在高边开关接通时检测在低边开关处的栅极源极电压，并且在低边开关接通时检测在高边开关处的栅极源极电压，其中，将高边开关的栅极源极电压相互比较并且将低边开关的栅极源极电压相互比较，以便确定相应的PTO特性，其中，在特性有偏差时，改变至少一个电阻R和或随时间变化地接入至少一个电阻R，以便补偿该PTO特性，以及本发明涉及一种装置1。

主权项：1.一种用于运行由分立的MOSFETT1-T4组成的半桥电路2的方法，其中，所述半桥电路2具有至少两个并联的高边开关和至少两个并联的低边开关，其中，所述MOSFETT1-T4借助于至少一个栅极驱动模块3、4操控，其中，所述MOSFETT1-T4的栅极联接部G1-G4单独地被引导出来，其中，所述栅极联接部G1-G4关联有可接入且可调整的电阻R，其中，在所述高边开关接通时检测在所述低边开关处的栅极源极电压，并且在所述低边开关接通时检测在所述高边开关处的栅极源极电压，其中，将所述高边开关的栅极源极电压相互比较并且将所述低边开关的栅极源极电压相互比较，以便确定相应的PTO特性，其中，在特性有偏差时，改变至少一个电阻R和或随时间变化地接入至少一个电阻R，以便补偿所述PTO特性。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 大众汽车股份公司 用于运行由分立的MOSFET组成的半桥电路的方法和装置

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD