申请/专利权人：北京北方华创微电子装备有限公司

申请日：2022-09-30

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117845173A

主分类号：C23C14/35

分类号：C23C14/35;C23C14/02;C23C14/06;C23C14/54;H01L21/02;H01L21/203;H01L33/00

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.26#实质审查的生效;2024.04.09#公开

摘要：本发明提供一种工艺方法，包括：确定当前靶材对应的晶圆加工数量，根据晶圆加工数量确定当前晶圆与靶材之间的目标距离；根据目标距离调节晶圆与靶材之间的距离；对当前晶圆进行磁控溅射工艺，以在晶圆表面形成工艺膜层；其中，晶圆加工数量为靶材最近一次维护后累计进行工艺的晶圆数量；当晶圆加工数量不大于第一预设数量阈值时，目标距离为预设间距，当晶圆加工数量大于第一预设数量阈值时，目标距离小于预设间距。本发明提供的工艺方法能够对晶圆表面成膜的均匀性进行补偿，从而降低靶材的维护时间占总生产周期的比例，有效提高机台产能，提高靶材和半导体工艺设备的利用率。

主权项：1.一种工艺方法，用于半导体工艺设备，其特征在于，所述方法包括：确定当前靶材对应的晶圆加工数量，根据所述晶圆加工数量确定当前所述晶圆与所述靶材之间的目标距离；根据所述目标距离调节所述晶圆与所述靶材之间的距离；对当前所述晶圆进行磁控溅射工艺，以在所述晶圆表面形成工艺膜层；其中，所述晶圆加工数量为所述靶材最近一次维护后累计进行工艺的晶圆数量；当所述晶圆加工数量不大于第一预设数量阈值时，所述目标距离为预设间距，当所述晶圆加工数量大于第一预设数量阈值时，所述目标距离小于所述预设间距。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京北方华创微电子装备有限公司 工艺方法

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