申请/专利权人：中国科学院微电子研究所

申请日：2019-11-14

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN111312819B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L21/336

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2020.07.14#实质审查的生效;2020.06.19#公开

摘要：本发明公开了一种堆叠纳米线或片环栅器件，包括：硅衬底；堆叠纳米线或片，形成在硅衬底上方，且沿第一方向延伸，堆叠纳米线或片包括若干上下层叠的纳米线或片；栅堆叠，栅堆叠包围每个堆叠纳米线或片，且沿第二方向延伸，栅堆叠沿第一方向两侧的侧壁上形成有第一侧墙；源漏区，位于每个栅堆叠沿第一方向的两侧；沟道区，包括位于第一侧墙之间的堆叠纳米线或片；其中，堆叠纳米线或片与硅衬底之间具有向内凹入的凹口结构，凹口结构内形成有隔离物，隔离物能够将堆叠纳米线或片与硅衬底隔离；确保硅基沟道，或，Ge等高迁移率沟道在保持高性能的条件下降低漏电流，从而改善器件特性。同时，本发明还提供一种堆叠纳米线或片环栅器件的制备方法。

主权项：1.一种堆叠纳米线或片环栅器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：提供硅衬底，并在所述硅衬底上形成交替堆叠的牺牲层和材料层；沿第一方向，在所述硅衬底上形成若干第一鳍部，以及位于若干所述第一鳍部上的若干第二鳍部；在所述硅衬底上形成凹口结构；在所述凹口结构上形成隔离物，以将所述第一鳍部和所述硅衬底隔离；所述在所述凹口结构上形成隔离物包括：在O2基气氛中，对所述第一鳍部、第二鳍部、凹口结构和第三鳍部进行氧化处理；循环上述操作若干次，在所述凹口结构上形成隔离物，以将所述第一鳍部和硅衬底隔离；所述氧化处理的氧化温度为600至900℃，氧化时间为30至60s，循环次数为1至5次；沿第二方向，在若干所述第一鳍部和第二鳍部上形成牺牲栅，以及所述牺牲栅两侧的第一侧墙；在所述第一侧墙两侧的第二鳍部，或，所述第二鳍部和第一鳍部上刻蚀并生长源漏外延层，形成源漏区；进行替代栅处理，形成堆叠纳米线或片环栅器件；其中，在所述硅衬底上形成所述凹口结构后，并在所述凹口结构上形成隔离物前，在所述硅衬底上形成第三鳍部。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种堆叠纳米线或片环栅器件及其制备方法

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