申请/专利权人：纽富来科技股份有限公司

申请日：2019-07-19

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN112640045B

主分类号：H01L21/205

分类号：H01L21/205;C23C16/455

优先权：["20180824 JP 2018-157826"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.04.27#实质审查的生效;2021.04.09#公开

摘要：实施方式的气相生长装置具备：反应室；第一气体室，设置于反应室之上，被导入第一工艺气体；以及多个第一气体流路，从第一气体室向反应室供给第一工艺气体，多个第一气体流路中的至少1个第一气体流路具有第一区域和位于第一区域与反应室之间的第二区域，第一区域具有与第一工艺气体的流动方向垂直的面中的第一开口截面积和上述方向的第一长度，第二区域具有与上述方向垂直的面中的第二开口截面积和上述方向的第二长度，第一开口截面积比第二开口截面积小，第一长度为第二长度以下。

主权项：1.一种气相生长装置，具备：反应室；第一气体室，设置于所述反应室之上，被导入第一工艺气体；多个第一气体流路，从所述第一气体室向所述反应室供给所述第一工艺气体；保持架，设置于所述反应室之中，能够载置基板；以及加热器，能够将所述基板加热至1500℃以上的温度，所述多个第一气体流路分别包括构成所述第一气体流路的外周的第一环状部件，所述第一环状部件包括第一上部区域和第一下部区域，所述第一下部区域设置于所述第一上部区域与所述反应室之间，所述第一上部区域的内径与所述第一下部区域的上端部的内径相等，所述多个第一气体流路中的至少1个第一气体流路具有第一区域和位于所述第一区域与所述反应室之间的第二区域，所述第一区域包括所述第一上部区域和第一部件，所述第一部件被插入到所述第一上部区域的内侧，所述第一部件具有第一贯通孔，所述第一部件能够与所述第一环状部件分离，所述第一部件的上端部的外径大于所述第一部件的下端部的外径，所述第二区域包括所述第一下部区域，所述第一区域具有与所述第一工艺气体的流动方向垂直的面中的第一开口截面积和所述方向的第一长度，所述第二区域具有与所述方向垂直的面中的第二开口截面积和所述方向的第二长度，所述第一开口截面积比所述第二开口截面积小，所述第一长度为所述第二长度以下，所述第一区域具有第一传导率，所述第二区域具有第二传导率，所述第一传导率相对于所述第二传导率的比率为1％以上且40％以下。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 纽富来科技股份有限公司 气相生长装置

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