申请/专利权人：松下知识产权经营株式会社

申请日：2020-03-17

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN113632244B

主分类号：H01L31/107

分类号：H01L31/107;H01L27/146

优先权：["20190329 JP 2019-067624"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.11.26#实质审查的生效;2021.11.09#公开

摘要：光检测器1是具备以阵列状配置有多个像素11的像素阵列10的光检测器1，多个像素11分别包括：第1导电型的第1半导体层12；第1导电型的第2半导体层13，位于第1半导体层12的上方，杂质浓度比第1半导体层12低；以及第2导电型的第1半导体区域14，形成于第2半导体层13，并与第1半导体层12接合，第2导电型与第1导电型不同；第1半导体层12及第1半导体区域14形成通过雪崩倍增而电荷被倍增的倍增区域15；像素阵列10包括形成于第2半导体层13的第1导电型的第1分离部16、以及形成于第1半导体层12的第1导电型的第2分离部17。

主权项：1.一种光检测器，具备以阵列状配置有多个像素的像素阵列，其中，上述多个像素分别包括：第1导电型的第1半导体层；上述第1导电型的第2半导体层，位于上述第1半导体层的上方，杂质浓度比上述第1半导体层低；以及第2导电型的第1半导体区域，形成于上述第2半导体层，并与上述第1半导体层接合，上述第2导电型与上述第1导电型不同；上述第1半导体层及上述第1半导体区域形成通过雪崩倍增而电荷被倍增的倍增区域；上述像素阵列包括形成于上述第2半导体层的上述第1导电型的第1分离部、以及形成于上述第1半导体层的上述第1导电型的第2分离部；上述第1分离部与上述第2分离部分离而配置；在上述像素阵列的平面图中，上述第2分离部与上述倍增区域的至少一部分重叠。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 松下知识产权经营株式会社 光检测器

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