申请/专利权人：中国科学院上海微系统与信息技术研究所

申请日：2021-04-13

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN113130376B

主分类号：H01L21/762

分类号：H01L21/762;H01L21/78

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.08.03#实质审查的生效;2021.07.16#公开

摘要：本申请涉及一种多层异质单晶薄膜衬底的制备方法，该方法包括步骤S101～S107，通过该步骤S101～S107可以实现任意多层异质单晶薄膜衬底结构，且各异质单晶薄膜间的结合为范德华力结合，异质单晶薄膜之间的键合十分牢固；另外，本申请实施例提供的一种任意多层异质单晶薄膜衬底的制备方法，可将多种具有不同功能的薄膜集成于一片衬底，用于多功能三维异质集成芯片的实现。

主权项：1.一种多层异质单晶薄膜衬底的制备方法，其特征在于，包括：S101，获取第一异质复合衬底；所述第一异质复合衬底包括第一牺牲层和位于第一牺牲层上的第一单晶薄膜；S102，将所述第一异质复合衬底置于腐蚀溶液中以使所述第一单晶薄膜与所述第一牺牲层分离；S103，获取支撑衬底；S104，将所述支撑衬底靠近并接触悬浮于所述腐蚀溶液表面的第一单晶薄膜，使第一单晶薄膜的一端吸附于所述支撑衬底表面；S105，将表面贴合的支撑衬底和第一单晶薄膜从所述腐蚀溶液中取出，并放入高压腔体和或退火炉内以加强所述第一单晶薄膜与所述支撑衬底的结合，得到双层异质单晶薄膜衬底；S106，获取第二异质复合衬底；所述第二异质复合衬底包括第二牺牲层和位于第二牺牲层上的第二单晶薄膜；所述第二单晶薄膜与所述第一单晶薄膜的材质不相同；S107，将所述双层异质单晶薄膜衬底作为新的支撑衬底；重复上述步骤S102～S105，将所述第二单晶薄膜与所述双层异质单晶薄膜衬底中的第一单晶薄膜结合，得到多层异质单晶薄膜衬底。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 一种多层异质单晶薄膜衬底的制备方法

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