申请/专利权人：合肥艾创微电子科技有限公司

申请日：2023-12-20

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN117438458B

主分类号：H01L29/778

分类号：H01L29/778;H01L23/48;H01L29/423

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2024.02.09#实质审查的生效;2024.01.23#公开

摘要：本发明提供一种氮化镓器件结构，包括氮化镓基片、源极区、栅极区以及漏极区，其中栅极区包含与所述氮化镓基片的一部分接触的栅极金属，该栅极金属通过电流传输结构与第一栅极金属电连接，该第一栅极金属与栅极金属在垂直方向上不重叠，所述第一栅极金属的方块电阻值R1低于所述栅极金属的方块电阻值R2。本发明在栅极金属与第一栅极金属之间通过电流传输结构进行电连接，电流可以通过电流传输结构均匀的导入到栅极金属的长度方向上多个位置，由于第一栅极金属电阻值较小的缘故，栅极金属的长度方向上多个位置的电位比较均匀，电位下降比较平均，从而提高整个栅极金属上的电位均匀性。

主权项：1.一种氮化镓器件结构，其特征在于，包括：氮化镓基片50；源极区20，其形成于所述氮化镓基片50中且包含与所述氮化镓基片的一部分接触的源极欧姆金属21，该源极欧姆金属上形成有至少一层源极互连金属层；漏极区30，其形成于所述氮化镓基片中且包含与所述氮化镓基片的一部分接触的漏极欧姆金属31，该漏极欧姆金属上形成有至少一层漏极互连金属层;其中源极互连金属层与漏极互连金属层的层数相同；以及栅极区40，其形成于所述氮化镓基片中用于分离所述源极区与漏极区，且包含与所述氮化镓基片的一部分接触的栅极金属41，该栅极金属通过电流传输结构42与第一栅极金属43电连接，该第一栅极金属与栅极金属在垂直方向上不重叠，所述第一栅极金属的方块电阻值R1低于所述栅极金属的方块电阻值R2；所述电流传输结构42包括多个平行布置的电流传输带，该多个电流传输带沿栅极金属41长度方向依次均匀布置。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 合肥艾创微电子科技有限公司 一种氮化镓器件结构

免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。

阅读全文 双屏查看 官方信息 专利公告 收藏专利 下载PDF 下载WORD