申请/专利权人：美光科技公司

申请日：2019-08-20

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN112514063B

主分类号：H01L23/544

分类号：H01L23/544;H01L21/027;H01L21/56;H01L25/065;H10B80/00;H01L21/67;H01L21/68

优先权：["20180831 US 16/118,902"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.04.02#实质审查的生效;2021.03.16#公开

摘要：一些实施例包含半导体封装。所述半导体封装具有半导体裸片，所述半导体裸片具有包含集成电路系统的主要区域且具有包含对准标记位置的一部分的边缘区域。所述对准标记位置的所述部分包含对准标记的片区。所述对准标记包含线和间隙的图案，其中所述线沿第一方向延伸。所述对准标记位置的所述部分还包含纹理，所述纹理具有除沿所述第一方向或沿基本上正交于所述第一方向的第二方向延伸的线以外的图案。一些实施例包含半导体晶片的对准标记方法。

主权项：1.一种半导体晶片的对准标记方法，其包括：限定与所述半导体晶片相关联的裸片位置，并且限定所述裸片位置之间的对准标记位置，每一对准标记位置具有由外周边包围的区域；在与所述半导体晶片相关联的第一级处理处，在所述对准标记位置内形成第一对准标记；所述第一对准标记包括主要沿第一方向延伸的第一片区，且包括主要沿正交于所述第一方向的第二方向延伸的第二片区；在与所述半导体晶片相关联的第二级处理处，在所述对准标记位置内形成第二对准标记；所述第二级处理在所述第一级处理之后；所述第二对准标记包括主要沿所述第一方向延伸的第三片区，且包括主要沿所述第二方向延伸的第四片区；以及在所述对准标记位置内，在不被所述第一对准标记和所述第二对准标记覆盖的所有区域上形成纹理，所述纹理具有除沿所述第一或第二方向延伸的线以外的图案。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 美光科技公司 半导体晶片的对准标记方法以及具有对准标记部分的半导体封装

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