申请/专利权人：清华大学

申请日：2022-05-11

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN114890370B

主分类号：B81B3/00

分类号：B81B3/00;B81C1/00;B81C3/00

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2022.08.30#实质审查的生效;2022.08.12#公开

摘要：本申请提供了柔性电子器件异质混合集成用柔性基底和柔性电子器件。该柔性基底包括柔性基底本体和凸出并阵列设置于所述柔性基底本体的多个微结构，所述柔性基底本体和所述微结构的材料相同，所述微结构和用于设置在所述微结构上的柔性衬底薄膜所接触区域的最大特征长度为L，所述L满足：ε＝αsubstrate‑αfilmΔT。该柔性电子器件包括：柔性基底，所述柔性基底包括柔性基底本体和凸出并阵列设置于所述柔性基底本体的多个微结构；柔性衬底薄膜，所述柔性衬底薄膜设置于所述柔性基底的所述微结构之上，所述微结构夹设在所述柔性衬底薄膜和所述柔性基底本体之间；以及电子元件，所述电子元件通过回流焊工艺设置于所述柔性衬底薄膜的背离所述柔性基底的一面。

主权项：1.一种柔性电子器件异质混合集成用柔性基底，其特征在于，所述柔性基底21包括柔性基底本体211和凸出并阵列设置于所述柔性基底本体211的多个微结构212，所述柔性基底本体211和所述微结构212的材料相同，所述微结构212和用于设置在所述微结构212上的柔性衬底薄膜22所接触区域的最大特征长度为L，所述L满足： ε＝αsubstrate-αfilmΔT，其中，所述γ为所述柔性基底21的界面黏附能；所述E为所述柔性衬底薄膜22的弹性模量；所述h为所述柔性衬底薄膜22的厚度；所述αsubstrate为所述柔性基底21的热膨胀系数；所述αfilm为所述柔性衬底薄膜22的热膨胀系数；所述ΔT为回流焊工艺中加热至锡膏变性为止的升温温度。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 清华大学 柔性电子器件异质混合集成用柔性基底和柔性电子器件

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