申请/专利权人：长江存储科技有限责任公司

申请日：2020-09-08

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN112236862B

主分类号：H10B43/20

分类号：H10B43/20;H10B43/27

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.02.02#实质审查的生效;2021.01.15#公开

摘要：提供了三维3D存储器件和用于形成3D存储器件的方法。在一个示例中，3D存储器件包括衬底和在衬底上包括交错的导电层和电介质层的存储堆叠层。存储堆叠层包括核心结构和阶梯结构。阶梯结构在存储堆叠层的一侧上。3D存储器件还包括垂直地延伸穿过阶梯结构的虚设沟道结构。虚设沟道结构包括沿虚设沟道结构的垂直侧的多个区段。多个区段分别与阶梯结构中的交错的导电层通过界面接合。多个区段中的至少一个包括在多个区段中的至少一个与对应的导电层之间的界面处的非平坦表面。

主权项：1.一种三维存储器件，包括：衬底；存储堆叠层，所述存储堆叠层在所述衬底上包括交错的导电层和电介质层，其中，所述存储堆叠层包括核心结构和阶梯结构，所述阶梯结构在所述存储堆叠层的一侧上；以及虚设沟道结构，包括第一氧化层和第二氧化层，所述第一氧化层围绕所述第二氧化层，所述第一氧化层的侧壁具有连续的凹凸表面，且所述虚设沟道结构垂直地延伸穿过所述阶梯结构，其中，所述虚设沟道结构包括沿所述虚设沟道结构的垂直侧的多个区段，所述多个区段分别与所述阶梯结构中的所述交错的导电层通过界面接合，其中，所述多个区段中的至少一个包括在所述多个区段中的所述至少一个与对应的导电层之间的界面处的非平坦表面。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 长江存储科技有限责任公司 具有虚设沟道结构的三维存储器件及其形成方法

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