申请/专利权人：三星电子株式会社

申请日：2019-07-12

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN111077739B

主分类号：G03F7/20

分类号：G03F7/20

优先权：["20181018 KR 10-2018-0124576"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.09.10#实质审查的生效;2020.04.28#公开

摘要：提供了极紫外光EUV曝光装置和方法，以及通过使用该曝光方法制造半导体器件的方法，其最小化EUV曝光工艺中由反射镜导致的误差以改进套刻误差。EUV曝光设备包括：EUV源，配置为生成和输出EUV；第一照明光学器件，配置为将EUV传递到EUV掩模；投影光学器件，配置为将从EUV掩模所反射的EUV投影到曝光目标上；激光源，配置为生成和输出激光束以用于加热；以及第二照明光学器件，配置为将激光束照射到在投影光学器件中所包括的至少一个反射镜上。

主权项：1.一种极紫外光EUV曝光装置，包括：EUV源，配置为生成并且输出EUV；第一照明光学器件，配置为将EUV传递到EUV掩模；投影光学器件，配置为将从EUV掩模所反射的EUV投影到曝光目标上；激光源，配置为生成并且输出激光束；以及第二照明光学器件，配置为将激光束照射到在投影光学器件中所包括的至少一个反射镜上；其中，第二照明光学器件配置为通过使用二元光栅、狭缝板或数字微反射镜装置DMD中的至少一个来形成激光束的第一照明形状。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 三星电子株式会社 极紫外光曝光装置和方法及制造半导体器件的方法

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