申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司

申请日：2021-05-31

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN113380892B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/51;H10B51/30;G11C11/22

优先权：["20200529 US 63/032,082","20210225 US 17/185,549"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.09.28#实质审查的生效;2021.09.10#公开

摘要：一种配置为多位存储器件的铁电场效应晶体管FeFET，该FeFET包括：半导体衬底，在该半导体衬底中具有源极区，在该半导体衬底中具有漏极区；栅极堆叠件在半导体衬底上，其中源极区和漏极区延伸到栅极堆叠件的相对侧，该栅极堆叠件包括在半导体衬底上方的铁电层，以及在铁电层上方的栅极区。晶体管还包括铁电层的第一端和第二端，其分别对应于源极和漏极区。铁电层包括偶极子。在铁电层的第一端的第一组偶极子具有第一极化。在铁电层的第二端的第二组偶极子具有第二极化，第二极化与第一极化基本上相反。本发明的实施例还涉及存储器件及读取铁电场效应晶体管的方法。

主权项：1.一种配置为多位存储器件的铁电场效应晶体管，所述铁电场效应晶体管包括：半导体衬底，包括：源极区，位于所述半导体衬底中；漏极区，位于所述半导体衬底中；和可逆区，在所述源极区和所述漏极区之间延伸穿过所述半导体衬底；栅极堆叠件，位于所述半导体衬底上方，所述源极区和所述漏极区延伸到所述栅极堆叠件的相对侧，所述栅极堆叠件包括：铁电层，位于所述半导体衬底上方；栅极区，位于所述铁电层上方；并且其中：所述铁电层的第一端和第二端相应地靠近所述源极区和所述漏极区；并且所述铁电层包括偶极子；并且在所述铁电层的所述第一端处的第一组偶极子具有第一极化；并且在所述铁电层的所述第二端处的第二组偶极子具有第二极化，所述第二极化与所述第一极化相反。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 存储器件及其铁电场效应晶体管和读取方法

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