申请/专利权人：株式会社半导体能源研究所

申请日：2019-02-14

公开（公告）日：2024-04-09

公开（公告）号：CN111742414B

主分类号：H01L29/786

分类号：H01L29/786;H01L21/336;H10B12/00;H01L29/788;H01L29/792

优先权：["20180223 JP 2018-030400","20180306 JP 2018-040081","20180731 JP 2018-143451"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.09#授权;2021.03.16#实质审查的生效;2020.10.02#公开

摘要：提供一种通态电流大且可靠性高的半导体装置。一种半导体装置，包括：第一绝缘体；第一绝缘体上的第一氧化物；第一氧化物上的第二氧化物；第二氧化物上的第一导电体及第二导电体；第二氧化物上的第三氧化物；第三氧化物上的第二绝缘体；位于第二绝缘体上并与第三氧化物重叠的第三导电体；与第一绝缘体的顶面、第一氧化物的侧面、第二氧化物的侧面、第一导电体的侧面、第一导电体的顶面、第二导电体的侧面、第二导电体的顶面接触的第三绝缘体；第三绝缘体上的第四绝缘体；第四绝缘体上的第五绝缘体；以及第三导电体、第二绝缘体、第三氧化物及第五绝缘体上的第六绝缘体，其中第六绝缘体与第三导电体、第二绝缘体、第三氧化物及第五绝缘体各自的顶面接触。

主权项：1.一种半导体装置，包括：第一绝缘体；所述第一绝缘体上的第一氧化物；所述第一氧化物上的第二氧化物；所述第二氧化物上的第一导电体及第二导电体；所述第二氧化物上的第三氧化物；所述第三氧化物上的第二绝缘体；在所述第二绝缘体上并与所述第三氧化物重叠的第三导电体；与所述第一绝缘体的顶面、所述第一氧化物的侧面、所述第二氧化物的侧面、所述第一导电体的侧面、所述第一导电体的顶面、所述第二导电体的侧面及所述第二导电体的顶面接触的第三绝缘体；所述第三绝缘体上的第四绝缘体；所述第四绝缘体上的第五绝缘体；以及所述第三导电体、所述第二绝缘体、所述第三氧化物及所述第五绝缘体上的第六绝缘体，其中，所述第六绝缘体与所述第三导电体、所述第二绝缘体、所述第三氧化物及所述第五绝缘体各自的顶面接触。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 株式会社半导体能源研究所 半导体装置以及半导体装置的制造方法

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