申请/专利权人：东京毅力科创株式会社

申请日：2022-08-31

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117836909A

主分类号：H01L21/304

分类号：H01L21/304

优先权：["20210913 JP 2021-148495"]

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.05#公开

摘要：本发明的基片处理装置包括：处理容器，其在内部包含能够被减压至比大气压低的压力的处理室；在上述处理室中保持基片的保持部；和喷嘴，其为了对由上述保持部保持的上述基片的第1主面照射气体团簇而喷射气体。上述处理容器具有：相对壁，其包括与上述基片的上述第1主面相对的第1相对面；板，其设置于上述相对壁的上述第1相对面的一部分；和贯通孔，其贯通上述相对壁和上述板。上述板具有与上述基片的上述第1主面相对的第2相对面。上述贯通孔是上述气体的通路，并在上述板的上述第2相对面具有出口。在上述相对壁与上述基片之间形成有第1间隙，在上述板与上述基片之间形成有第2间隙，上述第2间隙比上述第1间隙窄。

主权项：1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：处理容器，其在内部包含能够被减压至比大气压低的压力的处理室；在所述处理室中保持基片的保持部；和喷嘴，其为了对由所述保持部保持的所述基片的第1主面照射气体团簇而喷射气体，所述处理容器具有：相对壁，其包括与所述基片的所述第1主面相对的第1相对面；板，其设置于所述相对壁的所述第1相对面的一部分；和贯通孔，其贯通所述相对壁和所述板，所述板具有与所述基片的所述第1主面相对的第2相对面，所述贯通孔是所述气体的通路并在所述板的所述第2相对面具有出口，在所述相对壁与所述基片之间形成有第1间隙，在所述板与所述基片之间形成有第2间隙，所述第2间隙比所述第1间隙窄。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 东京毅力科创株式会社 基片处理装置和基片处理方法

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