申请/专利权人：北京清芯微储能科技有限公司

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117832280A

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/417

优先权：

专利状态码：在审-公开

法律状态：2024.04.05#公开

摘要：本发明公开一种增加JFET区源极接触的屏蔽型SiCMOSFET结构，包括多个并联的MOS元胞，MOS元胞中引入反偏肖特基结与屏蔽结构，细径段JFET形成良好的夹断效应，有效屏蔽强电场在栅氧下方的分布，从而提高器件的雪崩能力，还可以在高漏源偏压下将细径段JFET电流通道极大程度的耗尽，大幅降低器件发生短路时的饱和电流，从而有效降低器件短路时内部的热产生和热积累，提高器件的短路能力，反偏肖特基结与屏蔽结构共同作用，减弱甚至消除在发生漏源电压过冲时在JFET区下形成的极强电场，进一步提升器件的雪崩能力，而肖特基接触可以降低体二极管的开启压降，使体二极管具备抗浪涌特性，将多晶硅栅极分裂开减少了栅极与漏极的正对面积，可以减少电容Cgd，降低开关损耗。

主权项：1.一种增加JFET区源极接触的屏蔽型SiCMOSFET结构，包括多个并联的MOS元胞，所述MOS元胞中具有JFET区，其特征在于，所述JFET区的横截面呈柱型轮廓，所述柱型轮廓至少具有一粗径段和一细径段以形成屏蔽结构，所述粗径段与所述MOS元胞的栅氧层接触；所述JFET区上方具有GATE，所述GATE包括栅氧层、淀积在栅氧层上的多晶硅栅极及覆盖多晶硅栅极的介质层，所述多晶硅栅极位于所述JFET区上的位置被打断以形成两段的所述多晶硅栅极，所述源极通过两段的所述多晶硅栅极与所述JFET区直接接触以形成肖特基结。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 北京清芯微储能科技有限公司 一种增加JFET区源极接触的屏蔽型SiC MOSFET结构

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