申请/专利权人：杭州电子科技大学

申请日：2023-12-22

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117829065A

主分类号：G06F30/367

分类号：G06F30/367

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本发明针对高频工作条件下InPHBT器件建模技术中去嵌算法技术的不足，提供一种基于等效电路去嵌的InPHBT器件建模方法：先构建用于1～110GHz频段的InPHBT器件建模的等效电路，包括以等效电路形式建立的GSGPAD模型和所述InPHBT器件；再将用于InPHBT器件建模的等效电路写入网表，通过对InPHBT器件的在片测试，调用HICUM模型源代码对InPHBT器件进行参数提取。本发明解决了目前的寄生等效电路缺乏高频寄生效应以及等效电路复杂度高的问题。

主权项：1.一种基于等效电路去嵌的InPHBT器件建模方法，所述InPHBT器件为1～110GHz频段的InPHBT器件，其特征在于，包括以下步骤：S1构建用于InPHBT器件建模的等效电路，所述用于InPHBT器件建模的等效电路中，包括以等效电路形式建立的GSGPAD模型，所述以等效电路形式建立的GSGPAD模型还连接有所述InPHBT器件；S2、将步骤S1建立的用于InPHBT器件建模的等效电路写入网表，通过对InPHBT器件的在片测试，调用HICUM模型源代码对InPHBT器件进行参数提取。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 杭州电子科技大学 一种基于等效电路去嵌的InP HBT器件建模方法

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