申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司

申请日：2024-01-04

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN117826521A

主分类号：G03F1/26

分类号：G03F1/26

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.23#实质审查的生效;2024.04.05#公开

摘要：本申请提供一种灰度掩模版及其制作方法，该制作方法包括：步骤一，提供一玻璃基板，在该玻璃基板上形成相移掩模层；步骤二，依次实施光刻胶涂布、曝光显影、刻蚀和光刻胶去除，在该相移掩模层中形成多个凹槽；步骤三，重复实施步骤二，在该相移掩模层中形成多个由上而下呈宽度逐步减小台阶状的沟槽。通过本申请，可以通过大规模集成电路制造批量实现灰度光刻。

主权项：1.一种灰度掩模版的制作方法，其特征在于，所述方法包括：步骤一，提供一玻璃基板，在所述玻璃基板上形成相移掩模层；步骤二，依次实施光刻胶涂布、曝光显影、刻蚀和光刻胶去除，在所述相移掩模层中形成多个凹槽；步骤三，重复实施所述步骤二，在所述相移掩模层中形成多个由上而下呈宽度逐步减小台阶状的沟槽。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种灰度掩模版及其制作方法

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