申请/专利权人：马克西姆综合产品公司

申请日：2017-05-23

公开（公告）日：2024-04-05

公开（公告）号：CN112993039B

主分类号：H01L29/78

分类号：H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423

优先权：["20160524 US 62/340,742"]

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.04.05#授权;2021.07.06#实质审查的生效;2021.06.18#公开

摘要：一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应LDMOS晶体管包括硅半导体结构；第一栅极结构和第二栅极结构和沟槽电介质层。第一栅极结构和第二栅极结构设置在硅半导体结构上并且在横向方向上彼此分离。沟槽电介质层设置在硅半导体结构中的沟槽中，并且在正交于横向方向的厚度方向上至少部分地在第一栅极结构和第二栅极结构中的每一个下方延伸。

主权项：1.一种横向双扩散金属氧化物半导体场效应LDMOS晶体管，包括：硅半导体结构，所述硅半导体结构包括：衬底，n阱，所述n阱形成在所述衬底上，p主体，所述p主体形成在所述n阱中，源极n+区域，所述源极n+区域形成在所述p主体中，以及漏极n+区域，所述漏极n+区域形成在所述n阱中并且在横向方向上与所述源极n+区域分离；电介质层，所述电介质层在正交于所述横向方向的厚度方向上形成在所述硅半导体结构上；栅极导体，所述栅极导体嵌入所述电介质层中并且在所述厚度方向上延伸到所述硅半导体衬底的沟槽中；以及漏极导电插塞，所述漏极导电插塞在所述厚度方向上延伸穿过所述电介质层和所述沟槽以接触所述漏极n+区域。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 马克西姆综合产品公司 LDMOS晶体管及相关系统和方法

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