申请/专利权人：泉州三安半导体科技有限公司

申请日：2023-12-28

公开（公告）日：2024-04-12

公开（公告）号：CN117878208A

主分类号：H01L33/22

分类号：H01L33/22;H01L33/24;H01L33/58;H01L33/62

优先权：

专利状态码：在审-实质审查的生效

法律状态：2024.04.30#实质审查的生效;2024.04.12#公开

摘要：本申请提供一种发光二极管元件及发光装置，发光二极管元件中，出光面一侧形成粗化结构，并且在粗化表面上形成有增透结构，该增透结构为折射率小于半导体叠层的折射率的材料层，因此在出光面一侧形成折射率梯度变化的界面，减少对光的反射，增加光的出射，提高发光二极管的出光效率。另外，在该增透结构侧粘附基板时，该增透结构可以提高与粘附层的附着力，并且减少粘附层中气泡的产生，有利于基板和半导体叠层之间的粘附稳定性。当移除基板时，增透结构能够与粘附层完整分离，增透结构完整地保留在半导体叠层的出光侧，增加出光效果。

主权项：1.一种发光二极管元件，其特征在于，至少包括：半导体叠层，所述半导体叠层至少包括依次叠置的第一半导体层结构、有源层及第二半导体层结构，其中所述半导体叠层具有出光侧以及与所述出光侧相对的电极侧，所述半导体叠层的所述出光侧的表面形成为粗化结构；增透结构，形成在所述出光侧并且覆盖所述粗化结构，所述增透结构为多层结构并且所述增透结构的折射率小于所述半导体叠层的折射率。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 泉州三安半导体科技有限公司 一种发光二极管元件及发光装置

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